資料顯示，1977年，我國最早的光刻機－GK－3型半自動光刻機誕生，這是一臺接觸式光刻機，當時光刻機巨頭ASML還沒有出現(xiàn)，但美國在20世紀50年代就已經(jīng)擁有了接觸式光刻機，日本的尼康和佳能也于60年代末開始進入光刻機領域。然而苦于當時國內(nèi)生產(chǎn)工藝尚不成熟，所以光刻機也一直沒有得到更深入的研究。

到了八九十年代，“造不如買”的思想席卷了大批制造企業(yè)，大批企業(yè)紛紛以“貿(mào)工技”作為指導思想，集成電路產(chǎn)業(yè)方面也出現(xiàn)了脫節(jié)。在這樣的大環(huán)境下，光刻機產(chǎn)業(yè)同樣也出現(xiàn)了衰退。雖然后續(xù)一直在追趕國外列強的腳步，但產(chǎn)業(yè)環(huán)境的落后加上本來就與世界先進企業(yè)有差距，使得中國終究沒有在高端光刻機領域留下屬于自己的痕跡。

2000年后，全球半導體產(chǎn)業(yè)開始興旺，中國也重新開始重新關注并發(fā)展EUV技術。最初開展的基礎性關鍵技術研究主要分布在EUV光源、EUV多層膜、超光滑拋光技術等方面。

2007年，中國科學院上海光學精密機械研究所“極紫外光刻機光源技術研究”項目通過驗收；

2008年，“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（又稱02專項）將EUV技術列為下一代光刻技術重點攻關的方向。中國企業(yè)將EUV列為了集成電路制造領域的發(fā)展重點對象，并計劃在2030年實現(xiàn)EUV光刻機的國產(chǎn)化；

2013年，中科院承擔的“深紫外固態(tài)激光源前沿裝備研制”項目通過驗收，在國際上首次實現(xiàn)了1064nm激光的6倍頻輸出，將全固態(tài)激光波長縮短至177.3nm，首次將深紫外激光技術實用化、精密化，并最終發(fā)展出實用化的深紫外固態(tài)激光源（DUV－DPL），開啟了中國的深紫外時代；

2016年，清華大學“光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機研發(fā)”項目成功通過驗收，標志中國在雙工件臺系統(tǒng)上取得技術突破，在實現(xiàn)光刻機國產(chǎn)化萬里長征上踏出了重要一步；

2017年，長春光機所牽頭承擔的02專項項目“極紫外光刻關鍵技術研究”通過驗收，項目研究團隊歷經(jīng)八年的潛心鉆研，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術，成功研制了波像差優(yōu)于0.75nm RMS的兩鏡EUV光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV投影光刻32nm線寬的光刻膠曝光圖形。該項目的順利實施顯著提升了我國極紫外光刻核心光學技術水平，將我國極紫外光刻技術研發(fā)向前推進了重要一步；

2018年，由中國科學院化學研究所、中國科學院理化技術研究所、北京科華微電子材料有限公司聯(lián)合承擔的02專項項目“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”通過驗收。經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標；

2018年，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，在365納米光源波長下單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。結(jié)合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10納米級別的芯片；

2019年，武漢光電國家研究中心甘棕松團隊，采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠場光學的辦法，光刻出最小9nm線寬的線段，實現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新……

可以看到，在光刻機的自主研發(fā)進程上，中國也取得了很大的進步。但真正能夠?qū)崿F(xiàn)工業(yè)應用的光刻機技術，距離國際先進水平仍有較大距離。

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